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UCC27332QDGNRQ1

Name: Texas Instruments UCC27332QDGNRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27332QDGNRQ1
Price: 1999 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-UCC27332QDGNRQ1

Fabricante N.º:

UCC27332QDGNRQ1

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas Automotive 9-A/9-A s ingle-channel gate

Hoja de datos:

UCC27332QDGNRQ1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.999	$1.999
	$1.477	$14.770
	$1.349	$33.725
	$1.201	$120.100
	$1.132	$283.000
	$1.093	$546.500
	$1.063	$1.063.000
	$1.014	$2.535.000
	$995	$4.975.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Low-Side Drivers
Tipo:	Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HVSSOP-8
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	9 A, 9 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	16 ns
Tiempo de caída:	11 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	UCC27332
Marca:	Texas Instruments
Tipo lógico:	TTL
Corriente de suministro operativa:	150 uA, 3.9 mA
Voltaje de salida:	0 V to 18 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	60 ns, 65 ns
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC27332-Q1 High-Speed Low-Side Gate Driver

Texas Instruments UCC27332-Q1 Single Channel High-Speed Low-Side Gate Driver can effectively drive MOSFET and GaN power switches. UCC27332-Q1 has a typical peak drive strength of 9A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27332-Q1 device’s small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead time optimization, control loop response, pulse width utilization, and transient performance of the system.