Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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P-Channel
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DPAK-3 (TO-252-3)
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50 A
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SMD/SMT
PowerPAK-SO-8-4
P-Channel
2 Channel
30 V
30 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
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- 55 C
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56 W
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AEC-Q101
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
100 A
5.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
185 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
SQJ963EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8-4
P-Channel
2 Channel
60 V
8 A
67 mOhms, 67 mOhms
- 20 V, 20 V
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27 W
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AEC-Q101
TrenchFET
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