AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

Tipos de inductores, bobinas y espirales
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Inductancia
Tolerancia
Corriente CC máxima
Estilo de terminación
Temperatura de trabajo máxima
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 33.00 nH 0.500 A 270.00 mOhm
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2.116En existencias
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33 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 39.00 nH 0.500 A 290.00 mOhm
Hoja de datos
581En existencias
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39 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 68.00 nH 0.500 A 380.00 mOhm
Hoja de datos
1.964En existencias
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68 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 82.00 nH 0.400 A 420.00 mOhm
Hoja de datos
2.295En existencias
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82 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.12 uH 0.400 A 510.00 mOhm
Hoja de datos
1.769En existencias
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120 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.18 uH 0.400 A 640.00 mOhm
Hoja de datos
2.958En existencias
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180 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.27 uH 0.350 A 1000.00 mOhm
Hoja de datos
440En existencias
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Carrete: 2.000

270 nH 5 % 350 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.47 uH 0.250 A 1720.00 mOhm
Hoja de datos
3.758En existencias
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470 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD 560 NH 5%
Hoja de datos
1.830En existencias
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560 nH 5 % 230 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.68 uH 0.190 A 2050.00 mOhm
Hoja de datos
2.161En existencias
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680 nH 5 % 190 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.82 uH 0.180 A 2300.00 mOhm
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3.101En existencias
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820 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 1.00 uH 0.250 A 1200.00 mOhm
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2.425En existencias
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1 uH 5 % 245 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 10.00 uH 0.300 A 2950.00 mOhm
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3.942En existencias
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10 uH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 2.70 uH 0.490 A 1300.00 mOhm
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1.840En existencias
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2.7 uH 5 % 490 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 10.00 nH 1.300 A 80.00 mOhm
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3.350En existencias
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10 nH 5 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 22.00 nH 1.400 A 70.00 mOhm
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1.713En existencias
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22 nH 5 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 33.00 nH 1.300 A 90.00 mOhm
Hoja de datos
70En existencias
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33 nH 5 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 47.00 nH 1.200 A 120.00 mOhm
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1.373En existencias
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47 nH 5 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 68.00 nH 1.000 A 130.00 mOhm
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1.621En existencias
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68 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 100.00 nH 1.000 A 160.00 mOhm
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1.975En existencias
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100 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 12.00 nH 1.000 A 90.00 mOhm
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1.846En existencias
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12 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 1.00 uH 0.320 A 2800.00 mOhm
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4.022En existencias
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1 uH 5 % 320 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 1.20 uH 0.300 A 3200.00 mOhm
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1.825En existencias
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1.2 uH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 68.00 nH 0.900 A 260.00 mOhm
Hoja de datos
1.470En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.000

68 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 100.00 nH 0.850 A 300.00 mOhm
Hoja de datos
764En existencias
2.000Se espera el 11-06-2026
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Min.: 1
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Carrete: 2.000

100 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C