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STD45P4LLF6AG

Name: STMicroelectronics STD45P4LLF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD45P4LLF6AG
Price: 1871 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STD45P4LLF6AG

Fabricante N.º:

STD45P4LLF6AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.871	$1.871
	$1.192	$11.920
	$801	$80.100
	$634	$317.000
	$588	$588.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$549	$1.372.500

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	65.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	58 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	31 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	35.5 ns
Serie:	STD45P4LLF6AG
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	63.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

H6/F6 Automotive P-Channel MOSFETs

STMicroelectronics H6/F6 Automotive P-Channel MOSFETs are developed using the STMicroelectronics STripFET™ H6/F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low R_DS(on) in all packages.