Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1000V 0.39 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1200V
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos de semiconductores discretos 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 5A N-CH POLAR
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 800V 1.44 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 54 Amps 300V 0.033 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 94 Amps 150V 0.011 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 133 Amps 100V 0.0075 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 0.5 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.42 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.29 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A
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Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass800
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Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3