Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Módulos MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
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413En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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107En existencias
300Se espera el 03-02-2027
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
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450En existencias
1.560En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 36 Amps 800V
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112En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds
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245En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar HiperFET Power MOSFET
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234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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163En existencias
120Se espera el 04-01-2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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188En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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179En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 12A
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150En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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44En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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153En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V
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265En existencias
300Se espera el 24-11-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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65En existencias
750Se espera el 04-01-2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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123En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800
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119En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800
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158En existencias
1.260En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
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76En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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133En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET DIODE Id82 BVdass600
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5En existencias
600Se espera el 09-02-2027
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600
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223En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
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285En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds
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89En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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9.082En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3