Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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1.320En existencias
670Se espera el 25-11-2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
Hoja de datos
1.260En existencias
1.200Se espera el 21-12-2026
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
Hoja de datos
738En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 38 Amps 1000V
Hoja de datos
378En existencias
220Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
788En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds
Hoja de datos
81En existencias
300Se espera el 25-11-2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
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2.533En existencias
5.010En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V
Hoja de datos
645En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Hoja de datos
1.049En existencias
720Se espera el 03-11-2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
768En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
Hoja de datos
158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
2.352En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds
Hoja de datos
168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
Hoja de datos
459En existencias
300Se espera el 06-10-2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A
Hoja de datos
597En existencias
120Se espera el 26-10-2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id26 BVdass500
Hoja de datos
1.961En existencias
4.620En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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630En existencias
480Se espera el 30-11-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
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232En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
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1.747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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185En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
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730En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
Hoja de datos
360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
Hoja de datos
196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
Hoja de datos
255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3