Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 1000V 0.22 Rds
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V
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337En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V
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1.382En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
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280En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds
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277En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
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228En existencias
300Se espera el 16-06-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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194En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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389En existencias
1.450En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
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639En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A
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1.398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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123En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
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88En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
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483En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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118En existencias
200Se espera el 16-06-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A
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413En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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185En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 500V 100A
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366En existencias
300Se espera el 25-05-2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
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320En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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125En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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624En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
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246En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 500V 66A
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436En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET DIODE Id82 BVdass600
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196En existencias
280Se espera el 07-05-2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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226En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3