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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC031N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
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IPF011N08NM6ATMA1
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IPT009N08NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC018N08NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC056N08NM6ATMA1
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ISC056N08NM6ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC031N08NM6ATMA1
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ISC031N08NM6ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $6.626
500Se espera el 11-06-2026
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IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

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$6.626

$4.468

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$3.159

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.963
4.740Se espera el 20-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$3.262

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$2.955

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: 5.000

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: $7.413
3.976Se espera el 29-10-2026
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ISC018N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6SCAT

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Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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$3.129

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
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ISC025N08NM6SCATMA1

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726-ISC025N08NM6SCAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.640
1.000En pedido
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ISC025N08NM6ATMA1

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726-ISC025N08NM6ATMA

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