Diodos Schottky de SiC – Mouser Chile

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TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

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Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

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Single

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20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

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Single

6 A

650 V

1.32 V

44 A

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- 55 C

+ 175 C

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650 V

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72 A

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650 V

1.34 V

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