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IPB017N10N5LFATMA1

Name: Infineon IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB017N10N5LFATM
Price: 9217 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB017N10N5LFATM

Fabricante N.º:

IPB017N10N5LFATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

Hoja de datos:

IPB017N10N5LFATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	210 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	132 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	80 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB017N10N5LF SP001503850
Peso de la unidad:	1,600 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Solutions for Light Electric Vehicles (LEV)

Infineon Technologies Solutions for Light Electric Vehicles (LEV) have world-changing potential utilizing the emission-free solution for rising megacities. LEVs apply new technology enabling greater power efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost solutions. LEVs cost less when compared to gasoline or battery powered EVs, making them affordable and hence attractive to emerging markets, where a transition to electrified mobility is in progress.

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Existencias:: 21.819 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 46 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$9.217	$9.217
	$4.979	$49.790
	$4.580	$458.000
	$4.443	$2.221.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$4.147	$4.147.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

IPB017N10N5LFATMA1

Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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