Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

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Enhancement

CoolMOS

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

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+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPN95R1K2P7ATMA1
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726-IPN95R1K2P7ATMA1

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

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IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.299
30.505En existencias

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IPN95R3K7P7ATMA1

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726-IPN95R3K7P7ATMA1

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Cinta cortada

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$818

$539

$427

Envase tipo carrete

$346

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

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IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.363
1.678En existencias

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TO-220-3

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950 V

6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

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IPU95R750P7AKMA1
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1: $2.654
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TO-251-3

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1 Channel

950 V

9 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

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