QPA3069 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA3069 100W GaN Power Amplifier is a packaged, high-power S-band amplifier ideal for military radar systems. The amplifier covers a 2.7GHz to 3.5GHz frequency range and is fabricated on Qorvo’s production 0.25μm gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN25). QPA3069 provides 50dBm saturated output power and 25dB large-signal gain while achieving 53% power-added efficiency. QPA3069 is packaged in a 7mm x 7mm 48-pin plastic overmolded package. QPA3069 MMIC has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 90W S-band PA
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 29.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Bag
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 100W GaN PA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 31.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Reel