Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V60V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Diodes Incorporated DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000