MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs feature higher breakdown voltage, offering increased design margin to support customer applications. These MOSFETs enable high system power density with a low-profile design in the TO-247-4 LP package and surface mount technology in the TO-263-7 XL package options. This enables designers to select the right part for their application. The Wolfspeed 750V MOSFETs facilitate efficient power conversion in diverse power systems. These systems include high-performance industrial power supplies, energy storage systems in Electrical Vehicle (EV) converters, and EV HVAC motor drives.

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4

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TO-247-4LP

N-Channel

1 Channel

750 V

42 A

45 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

139 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4

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SMD/SMT

TO-263-7XL

N-Channel

1 Channel

750 V

156 A

60 mOhms

- 8 V, + 19 V

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554 W

Enhancement

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TO-247-4LP

N-Channel

1 Channel

750 V

35 A

60 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

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+ 175 C

126 W

Enhancement

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TO-263-7XL

N-Channel

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750 V

156 A

15 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

180 nC

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554 W

Enhancement

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

80 A

21 mOhms

- 8 V, + 19 V

2.6 V

119 nC

- 40 C

+ 175 C

262 W

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TO-247-4

N-Channel

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750 V

42 A

60 mOhms

- 8 V, + 19 V

2.6 V

65 nC

- 40 C

+ 175 C

139 W

Enhancement

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N-Channel

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750 V

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78 mOhms

- 8 V, + 19 V

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126 W

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128 A

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- 40 C

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TO-263-7XL

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84 A

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3.8 V

114 nC

- 55 C

+ 175 C

281 W

Enhancement

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750 V

80 A

25 mOhms

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3.8 V

119 nC

- 55 C

+ 175 C

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E4M0045075J2-TR
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$7.904

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$6.523

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$5.429

Min.: 1
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46 A

45 mOhms

- 8 V, + 19 V

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62 nC

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