BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 300A SiC Power Module

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$862.781 $862.781
$826.986 $9.923.832

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 65 ns
Altura: 15.4 mm
Longitud: 152 mm
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 70 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 4
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico: 250 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 80 ns
Vr - Tensión inversa: 1.2 kV
Ancho: 62 mm
Peso de la unidad: 444,780 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
TARIC:
8541590000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

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