STY112N65M5

STMicroelectronics
511-STY112N65M5
STY112N65M5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
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16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$32.346 $19.407.600

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
96 A
19 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
350 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 5 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-channel MDmesh V Power MOSFET

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