Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SQJ148EP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

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55 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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2.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
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22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms