Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
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SQJ464EP-T1_GE3
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SQJ411EP-T1_GE3
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SQJ457EP-T1_GE3
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SQJ500AEP-T1_GE3
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SQJ860EP-T1_GE3
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AEC-Q101

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SQJA84EP-T1_GE3
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SQJA84EP-T1_GE3

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SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJA86EP-T1_GE3

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SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.188
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SQJ148EP-T1_GE3

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SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA02EP-T1_GE3

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SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ416EP-T1_GE3

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SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ476EP-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
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SQJ952EP-T1_GE3

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SQJA00EP-T1_GE3
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SQJ479EP-T1_GE3
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$614

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$542

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

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30 A

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TrenchFET

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

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+ 175 C

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2.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms