Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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SQJ886EP-T1_GE3
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SQJ444EP-T1_GE3
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SQJ401EP-T1_GE3
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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ411EP-T1_GE3
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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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55 A

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SQJ443EP-T1_GE3
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P-Channel

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40 A

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ488EP-T1_GE3
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SQJ488EP-T1_GE3

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27 W

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AEC-Q101

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SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA02EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix
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SQJA96EP-T1_GE3

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ422EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

4.3 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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TrenchFET

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SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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- 20 V, 20 V

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35 nC

- 55 C

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SQJ469EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

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101 nC

- 55 C

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100 W

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TrenchFET

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2.6 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.6 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms

20 nC
25 nC
27 nC
30 nC
32 nC
34 nC
35 nC
38 nC
38.3 nC, 45 nC
40 nC
44 nC
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63 nC
65 nC
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73 nC
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90 nC
100 nC
101 nC