Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 230
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K12-60E/SOT1205/LFPAK56D 6.507En existencias
Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34.2 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K29-100E/SOT1205/LFPAK56D 8.479En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 29.5 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K32-100E/SOT1205/LFPAK56D 8.681En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 29 A 21.5 mOhms, 21.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R2-40E/SOT1205/LFPAK56D 4.430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M17-80E/SOT1210/mLFPAK 12.278En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 29.6 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M8R0-40E/SOT1210/mLFPAK 12.331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.8 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M9R9-60E/SOT1210/mLFPAK 13.516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y12-100E/SOT669/LFPAK 11.966En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK 10.066En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 49.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y4R8-60E/SOT669/LFPAK 184En existencias
10.500Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 73.1 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y6R0-60E/SOT669/LFPAK 14.091En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 45.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9635-55A/SOT404/D2PAK 7.738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 34 A 32 mOhms - 10 V, 10 V 2 V - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK 4.545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9640-100A/SOT404/D2PAK 6.401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 39 A 39 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 48 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK 4.216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 23 A 72 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 24.3 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K134-100E/SOT1205/LFPAK56D 7.019En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 8.5 A 127 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M156-100E/SOT1210/mLFPAK 29.667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 9.3 A 150 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK 7.123En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 33 A 25 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.7 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M43-100E/SOT1210/mLFPAK 8.204En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK 7.994En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12.8 A 68 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 4.4 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK 10.630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 14.8 A 99 mOhms - 15 V, 15 V 1.65 V 11 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK 3.707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK 10.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK 4.618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK 20.453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 18 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 39 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel