NDSH40120CDN

onsemi
863-NDSH40120CDN
NDSH40120CDN

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3LD
Dual Anode Common Cathode
52 A
1.2 kV
1.36 V
123 A
2.39 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH40120CDN
Tube
Marca: onsemi
País de ensamblaje: CN
País de difusión: KR
País de origen: CN
Dp - Disipación de potencia : 217 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 1.2 kV
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN

El   diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN de onsemi   proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor confiabilidad que el silicio. El diodo de onsemi no tiene corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y un excelente rendimiento térmico. Los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, una frecuencia operativa más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un menor tamaño y costo del sistema.

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onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.