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SCT3030ARC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3030ARC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030ARC15
Price: 22781 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-SCT3030ARC15

Fabricante N.º:

SCT3030ARC15

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	104 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	262 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.4 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns