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QPA2212D

Name: Qorvo QPA2212D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA2212D
Price: 1285155 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPA2212D

Fabricante N.º:

QPA2212D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 27-31GHz 25W GaN POWER AMP

Hoja de datos:

QPA2212D Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	27.5 GHz to 31 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	22 V
Corriente de suministro operativa:	460 mA
Ganancia:	21.7 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Die
Tecnología:	GaN SiC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	QPA2212D
Empaquetado:	Gel Pack
Marca:	Qorvo
Kit de desarrollo:	QPA2212D EVB
Pérdida de retorno de entrada:	29 dB
Dp - Disipación de potencia :	80.3 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Hoja de datos

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier

Qorvo QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier is fabricated using a 0.15µm Gallium Nitride on Silicon Carbide (GaN on SiC) process (QGaN15). Operating between 27GHz and 31GHz, the QPA2212D achieves 10W linear power with -25dBc intermodulation distortion and 22dB small-signal gain. Saturated output power is 25W with a power-added efficiency of 25%.