Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Resultados: 79
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
Hoja de datos
1.974En existencias
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Min.: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 400 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.989En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 264 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
Hoja de datos
2.985En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
Hoja de datos
1.858En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 347 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 190 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.960En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
Hoja de datos
2.962En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 126 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
Hoja de datos
2.997En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
Hoja de datos
5.390En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A, 11 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V, 2.4 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8
Hoja de datos
2.760En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.5 A 7 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 170 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
Hoja de datos
2.846En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 600 V 13.3 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
Hoja de datos
785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
Hoja de datos
1.738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
Hoja de datos
2.697En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
Hoja de datos
3.000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
3.000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 125 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
Hoja de datos
2.999En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 168 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.999En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 223 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
Hoja de datos
2.972En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 700 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.995En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
Hoja de datos
986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67.7 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
Hoja de datos
2.830En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
Hoja de datos
2.958En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 1 Channel 100 V 2.5 A 150 mOhms, 160 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel