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2N7002KS6-T

Name: Rectron 2N7002KS6-T
Brand: Rectron
SKU: 583-2N7002KS6-T
Price: 387 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

583-2N7002KS6-T

Fabricante N.º:

2N7002KS6-T

Fabricante:

Rectron

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

2N7002KS6-T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT363-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	250 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	1.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	350 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Rectron
Configuración:	Dual
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 ms
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.5 ns

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Hoja de datos

2N7002KS6-T Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET

Rectron 2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET features a sensitive gate trigger current and low holding current. This ESD-protected diode has an ESD rating of 2200V HBM. It is intended for use in general-purpose switching and phase control applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

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RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

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RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

Obtenga más información

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

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RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

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Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$387	$387
	$269	$2.690
	$170	$17.000
	$107	$53.500
	$93,4	$93.400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$82	$246.000
	$69,5	$417.000
	$61,5	$553.500
	$45,6	$1.094.400

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

2N7002KS6-T

Fabricante: Rectron

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Especificaciones

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2N7002KS6 Double N-Channel MOSFET

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