Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4800F144K1536AAXQMA1
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
BSZ097N10NS5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
11.110 En existencias
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
BSC035N10NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
14.945 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
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N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PF
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PRXUMA1
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1.571 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
4.640 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
5.022 En existencias
5.000 Se espera el 26-05-2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3GATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
2.171 En existencias
5.000 Se espera el 11-02-2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
25.290 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
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2.627 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
2.627 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
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4.562 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
4.562 En existencias
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$646
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.556
12.759 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
12.759 En existencias
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1
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5.000
$707
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Carrete :5.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.975
4.337 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4.337 En existencias
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1
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5.000
$879
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.078
11.274 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3GATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
11.274 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.078
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.106
30.160 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
30.160 En pedido
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En pedido:
160 Se espera el 28-01-2027
15.000 Se espera el 18-02-2027
15.000 Se espera el 04-03-2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.106
10
$1.319
100
$871
500
$691
1.000
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5.000
$540
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2.500
$561
5.000
$540
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.853
596 Se espera el 18-02-2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
596 Se espera el 18-02-2027
Embalaje alternativo
1
$2.853
10
$1.840
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$1.268
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5.000
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$895
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5.000
Detalles
