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CMPA0530002S

Name: MACOM CMPA0530002S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA0530002S
Price: 120866 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CMPA0530002S

Fabricante N.º:

CMPA0530002S

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Amplificador de RF MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4

Hoja de datos:

CMPA0530002S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$120.866	$120.866
	$103.689	$1.036.890
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$97.973	$4.898.650
	$94.660	$9.466.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	500 MHz to 3 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Ganancia:	17.52 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-12
Tecnología:	GaN
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	MACOM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Hoja de datos

CMPA0530002S Hoja de datos (PDF)

PCN

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CMPA0530002S GaN HEMT

MACOM CMPA0530002S Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is specially designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The MACOM CMPA0530002S operates on a 28V rail while encased in a 3mm x 4mm, surface-mount, dual-flat-no-lead (DFN) package. The transistor can operate below 28V to as low as 20V V_DD under reduced power, maintaining high gain and efficiency.