MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Hoja de datos
72En existencias
3.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Hoja de datos
81En existencias
2.400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247
Hoja de datos
330En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
2En existencias
2.400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
Hoja de datos
1.193En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
3.744En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
Hoja de datos
9.173En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
Hoja de datos
14En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
Hoja de datos
831Se espera el 24-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
3.904Se espera el 01-09-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
2.441Se espera el 14-05-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
11.987Se espera el 18-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
4.003Se espera el 01-09-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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2.000Se espera el 13-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
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5.498Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 630 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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447En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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Comentarios de Producto
130En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
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400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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Plazo de entrega 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel