MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Resultados: 141
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Hoja de datos
520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
Hoja de datos
4.280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Hoja de datos
742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 47 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247
Hoja de datos
550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
Hoja de datos
877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 14 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
1.618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
Hoja de datos
1.908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
1.457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
464En existencias
1.000Se espera el 27-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
644En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
1.613En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
Hoja de datos
315En existencias
2.500Se espera el 24-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
1.140En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
518En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 470 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
Hoja de datos
207En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Hoja de datos
1.554En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Hoja de datos
880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
1.428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
Hoja de datos
986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
Hoja de datos
13En existencias
1.000Se espera el 16-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube