IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
18En existencias
20Se espera el 06-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
20Se espera el 28-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray