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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV8 P INITIAL PROGRAM
Hoja de datos
4.936En existencias
6.000Se espera el 29-05-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.020
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV8 P INITIAL PROGRAM
Hoja de datos
9.946Se espera el 28-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel