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RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 1329 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RFN10BGE3STL

Fabricante N.º:

RFN10BGE3STL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores RECT 350V 10A SM SUPER FST

Hoja de datos:

RFN10BGE3STL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.329	$1.329
	$846	$8.460
	$712	$71.200
	$561	$280.500
	$513	$513.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$479	$1.197.500
	$473	$2.365.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252GE-3
Vr - Tensión inversa:	350 V
If - Corriente directa:	10 A
Tipo:	Super Fast Recovery Diode
Configuración:	Single
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Sobrecorriente máx.:	80 A
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Tiempo de recuperación:	30 ns
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º:	RFN10BGE3S

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PCN

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.