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IRS2007STRPBF

Name: Infineon IRS2007STRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRS2007STRPBF
Price: 961 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IRS2007STRPBF

Fabricante N.º:

IRS2007STRPBF

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas 200V half-bridge 0.6A,VCC & VBS UVLO

Hoja de datos:

IRS2007STRPBF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$961	$961
	$694	$6.940
	$626	$15.650
	$550	$55.000
	$514	$128.500
	$492	$246.000
	$476	$476.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$455	$1.137.500
	$444	$2.220.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	600 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	70 ns
Tiempo de caída:	30 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	IRS200X
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Tipo lógico:	CMOS, LSTTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	220 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	220 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tiempo apagado - Máx.:	220 ns
Corriente de suministro operativa:	300 uA
Voltaje de salida:	10 V to 20 V
Dp - Disipación de potencia :	625 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	220 ns
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Peso de la unidad:	393,242 mg

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Application Notes

Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Alemania

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Controladores de puertas de cambio de nivel de 200 V

Los controladores de puertas de cambio de nivel de 200 V de Infineon incluyen controladores trifásicos, de medio puente, o de baja y alta tensión para aplicaciones de control de motores de bajo voltaje (24 V, 36 V, y 48 V) y medio voltaje (60 V, 80 V, 100 V y 120 V). El producto trifásico utiliza la exclusiva tecnología de cambio de nivel de silicio sobre aislante (SOI) de Infineon. Esta función ofrece aislamiento funcional, una robustez VS negativa líder en la industria y una reducción de pérdidas de cambio de nivel. También está disponible una solución con diodos de arranque (BSD) integrados para reducir el costo de materiales, simplificar el diseño y reducir el tamaño de la PCB.

IRS2007 200-V Half-Bridge Drivers

Infineon Technologies IRS2007 200-V Half-Bridge Drivers are high voltage, high-speed power MOSFET drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration, which operates up to 200V. Propagation delays are matched to simplify the HVIC’s use in high-frequency applications.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.