NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 430

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.378 $10.378
$7.260 $72.600
$6.799 $815.880

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: KR
País de origen: CN
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 12 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 14 ns
Serie: NTH4L060N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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