MJD41C & MJD42C 100V 6A Bipolar Transistors

Nexperia MJD41C and MJD42C 100V 6A High Power Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) surface-mounted device (SMD) plastic package. These devices offer high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD41C and MJD42C are ideal for a wide variety of applications including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting. The MJD41C-QJ and MJD42C-QJ transistors are AEC-Q101 qualified.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 10 A 100 V 6 V 1.5 V 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 6 A 100 V 6 V 1.5 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 10 A 100 V 6 V 1.5 V 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 6 A 100 V 6 V 1.5 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel