CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 33
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 3.427En existencias
$3.338
$1.658
$1.526
$1.230
$1.081
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3 5.839En existencias
$3.502
$1.856
$1.680
$1.307
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 988En existencias
$7.225
$4.732
$3.491
$3.085
$2.767
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 643En existencias
$6.258
$3.272
$2.921
$2.536
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 1.943En existencias
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$7.192
$3.810
$3.481
$3.250
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$3.052
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Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 31.340En existencias
Cinta cortada
$2.745
$1.768
$1.197
$999
$931
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$860
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 8.167En existencias
6.000Se espera el 05-11-2026
Cinta cortada
$8.784
$6.192
$5.007
$4.447
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$3.986
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 4.053En existencias
Cinta cortada
$6.939
$4.546
$3.349
$3.030
Envase tipo carrete
$2.657
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 5.572En existencias
Cinta cortada
$4.502
$2.943
$2.141
$1.867
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$1.570
$1.548
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 2.310En existencias
$8.213
$5.380
$4.040
$3.426
$3.151
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 4.900En existencias
Cinta cortada
$4.051
$2.635
$1.856
$1.548
$1.438
Envase tipo carrete
$1.340
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 21.775En existencias
25.000Se espera el 12-11-2026
Cinta cortada
$2.350
$1.131
$1.010
$827
$819
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$665
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 2.943En existencias
Cinta cortada
$4.699
$3.085
$2.295
$1.932
$1.790
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$1.680
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 13.553En existencias
15.000Se espera el 29-07-2027
Cinta cortada
$2.130
$1.318
$863
$677
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$453
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: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3 1.003En existencias
500Se espera el 23-10-2026
$5.182
$2.547
$2.317
$1.845
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3 2.993En existencias
Cinta cortada
$4.480
$2.943
$2.196
$1.834
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$1.603
Min.: 1
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: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS 340En existencias
$2.328
$1.120
$1.001
$794
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Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS 1.041En existencias
1.000Se espera el 07-01-2027
$2.053
$978
$874
$688
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 540En existencias
1.000Se espera el 13-05-2027
Cinta cortada
$6.346
$4.150
$3.063
$2.723
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$2.415
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Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 86En existencias
5.000Se espera el 02-11-2026
Cinta cortada
$2.833
$1.823
$1.241
$1.047
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$832
Min.: 1
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: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 128En existencias
20.000En pedido
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$3.052
$1.965
$1.350
$1.097
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: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3 26En existencias
55.000En pedido
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$4.008
$2.602
$1.823
$1.526
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$1.329
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Mult.: 1
: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 12En existencias
5.000Se espera el 07-10-2027
Cinta cortada
$1.921
$1.186
$780
$613
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$395
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: 5.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 184En existencias
1.000En pedido
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$3.887
$2.525
$1.768
$1.482
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$1.372
$1.296
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Mult.: 1
: 1.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 594En existencias
$4.029
$2.031
$1.834
$1.537
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