Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA057N08N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.338
3.427 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA057N08N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
3.427 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA086N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.502
5.839 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA086N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
5.839 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1:
$7.225
988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
988 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.258
643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP048N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
643 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
$7.192
1.943 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1.943 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.745
31.340 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N12NS3GXT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
31.340 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
$8.784
8.167 En existencias
6.000 Se espera el 05-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
8.167 En existencias
6.000 Se espera el 05-11-2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.939
4.053 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
4.053 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.502
5.572 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
5.572 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
$8.213
2.310 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
2.310 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC077N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.051
4.900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC077N12NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
4.900 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.350
21.775 En existencias
25.000 Se espera el 12-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
21.775 En existencias
25.000 Se espera el 12-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.699
2.943 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
2.943 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.130
13.553 En existencias
15.000 Se espera el 29-07-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
13.553 En existencias
15.000 Se espera el 29-07-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$5.182
1.003 En existencias
500 Se espera el 23-10-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
1.003 En existencias
500 Se espera el 23-10-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB600N25N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.480
2.993 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB600N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
2.993 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.328
340 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
340 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.053
1.041 En existencias
1.000 Se espera el 07-01-2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
1.041 En existencias
1.000 Se espera el 07-01-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.346
540 En existencias
1.000 Se espera el 13-05-2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
540 En existencias
1.000 Se espera el 13-05-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.833
86 En existencias
5.000 Se espera el 02-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
86 En existencias
5.000 Se espera el 02-11-2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1:
$3.052
128 En existencias
20.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
128 En existencias
20.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
128 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5.000 Se espera el 05-11-2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.008
26 En existencias
55.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
26 En existencias
55.000 En pedido
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.921
12 En existencias
5.000 Se espera el 07-10-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
12 En existencias
5.000 Se espera el 07-10-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.887
184 En existencias
1.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
184 En existencias
1.000 En pedido
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP034NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.029
594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP034NE7N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
594 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles