Resultados: 134
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 850En existencias
$8.875
$4.785
$4.386
$3.987
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh 495En existencias
$19.812
$11.427
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 30 mOhms 25 V 4 V 200 nC - 55 C + 125 C 400 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 806En existencias
Cinta cortada
$9.524
$5.161
$4.739
$4.637
Envase tipo carrete
$4.375
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh 1.612En existencias
$5.605
$2.894
$2.632
$2.165
$2.153
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms 30 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp 1.204En existencias
$5.525
$3.498
$2.974
$2.666
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms 30 V 3 V 39 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 980En existencias
Cinta cortada
$6.095
$3.167
$2.894
$2.563
Envase tipo carrete
$2.415
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh 1.749En existencias
$10.037
$5.469
$5.024
$4.717
$4.694
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 1.220En existencias
$9.684
$5.298
$4.865
$4.534
$4.512
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 524En existencias
$8.362
$4.477
$4.101
$3.680
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 633En existencias
$10.265
$5.799
$5.514
$5.195
$5.184
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 476En existencias
$12.794
$7.177
$7.098
$6.346
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V 1.389En existencias
Cinta cortada
$7.496
$3.976
$3.634
$3.441
Envase tipo carrete
$3.190
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 23 mOhms 25 V 5 V 104 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 2.043En existencias
$4.489
$2.336
$2.108
$1.732
$1.561
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 916En existencias
$7.713
$3.999
$3.668
$3.315
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp 662En existencias
$15.027
$8.339
$7.986
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 120 mOhms 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 1.282En existencias
Cinta cortada
$9.912
$5.389
$4.956
Envase tipo carrete
$4.625
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 647En existencias
Cinta cortada
$8.488
$4.546
$4.170
$3.976
Envase tipo carrete
$3.760
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1.953En existencias
$7.884
$4.204
$3.839
$3.224
$3.190
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch 830En existencias
$13.022
$7.280
$7.212
$6.494
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M 566En existencias
$9.912
$7.143
$6.688
$6.642
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh 899En existencias
$6.619
$3.589
$3.201
$2.848
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II 700En existencias
$6.141
$3.190
$2.905
$2.438
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 280 mOhms 25 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch 1.000En existencias
$7.702
$5.047
$3.714
$3.304
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1.679En existencias
$7.428
$5.070
$4.455
$4.420
$4.398
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh 1En existencias
2.000Se espera el 28-11-2026
$10.322
$5.548
$5.138
$4.637
$4.625
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube