SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$35.572 $35.572
$28.149 $281.490
$26.134 $2.613.400

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tiempo de caída: 17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 32 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 32 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 82 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4013DR
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance device designed for demanding power electronics applications. Featuring a drain-source voltage rating of 750V and a 105A continuous drain current (at +25°C), this device offers exceptional efficiency and thermal performance. The low on-resistance of 13mΩ (typical) and fast switching characteristics make the ROHM SCT4013DR ideal for high-frequency applications such as power supplies, inverters, and motor drives. The SCT4013DR also benefits from the inherent advantages of SiC technology, including a high breakdown voltage, low switching losses, and superior thermal conductivity, which contribute to reduced system size and improved reliability. Packaged in a TO-247-4L case, the MOSFET supports robust thermal management and ease of integration into existing designs.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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