NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Resultados: 178
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.238En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 169 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET 2.622En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT 200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT 52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 3.4mOhm 8 0V A 595-CSD19502Q5B A 595-CSD19502Q5B 823En existencias
2.750Se espera el 25-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET 6En existencias
750Se espera el 04-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT 137En existencias
1.000Se espera el 26-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T 47En existencias
500Se espera el 05-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT 1.338En existencias
1.000Se espera el 18-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT 131En existencias
50.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET 2.115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement NexFET Tube

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A 439En existencias
1.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 17 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L 445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT BGA-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.9 mOhms - 10 V, 10 V 950 mV 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT 95En existencias
6.000Se espera el 02-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 N-Channel 2 Channel 20 V 7 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 680 mV 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST 1.637En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS 789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L 302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT BGA-10 N-Channel 2 Channel 30 V 14 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET 1.984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-6 N-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 20 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.9 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET 5.092En existencias
9.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET 935En existencias
90.000Se espera el 30-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 25 V 5 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET 232En existencias
5.000Se espera el 21-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 5 A 2.4 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 14 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 2.060En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 13 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 3.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 10.5 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 2.907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 8.9 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T 13.640En existencias
21.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel