NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs are a high-performance 25V, 30V, and 40V MOSFET platform incorporating Nexperia superjunction technology. Nexperia NextPowerS3 devices are offered in a copper-clip LFPAK package, delivering low RDS(on) and demonstrating a continuous current capability up to 380A. Synchronous working parameters allow NextPowerS3 MOSFETs to provide high performance and high reliability.

Resultados: 43
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A
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17.035En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29.3 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 95A
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4.417En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 14 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 150A
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4.535En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 325A
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1.875En existencias
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Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 40 V 325 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 137 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A
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4.128En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 380A
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15En existencias
3.000Se espera el 18-01-2027
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A
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2.588En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 31.3 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A
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2.145En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 32 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 85A
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17.580En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 13 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A
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4.623En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 890 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 71.8 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A
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1.995En existencias
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Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 119 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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9.169En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.35 V 18 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 51A
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13.420En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 500A
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1.556En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 190 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 425A
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726En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 202 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 150A
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1.488En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 150 A 1.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 70A
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2.234En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 1.86 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34.4 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 118A
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2.028En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 118 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 17 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 118A
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1.161En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 118 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 42 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 66A
Hoja de datos
1.247En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 66 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.7 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 50A
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372En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 50A
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1.080En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 57A
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5.118En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A
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1.712En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13.9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 300A
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141En existencias
21.000Se espera el 16-04-2026
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 109 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel