CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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967En existencias
1.800En pedido
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.758En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.799En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.795En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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306En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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179En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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218En existencias
240Se espera el 03-09-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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2.264En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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29En existencias
3.600Se espera el 01-10-2026
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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200En existencias
240Se espera el 28-09-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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203En existencias
240Se espera el 24-12-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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195En existencias
240Se espera el 28-09-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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225En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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476En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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915En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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636En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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408En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.333En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.950En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.493En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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8En existencias
720Se espera el 28-09-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel