GP3D050B170B

SemiQ
148-GP3D050B170B
GP3D050B170B

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$21.155 $21.155
$15.797 $157.970
$13.660 $1.639.200
$12.934 $6.596.340
1.020 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.7 kV
2.27 V
360 A
42 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: SemiQ
Dp - Disipación de potencia : 789 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 1.7 kV
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

Diodo Schottky SiC de 1700 V QSiC™ GP3D050B170B

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1700 V QSiC™ GP3D050B170B de SemiQ está disponible en un encapsulado TO-247-2L diseñado para satisfacer las exigencias de tamaño y potencia para una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación en modo conmutación, fuentes de alimentación ininterrumpible (UPS), inversores solares y estaciones de carga de vehículos eléctricos (EV). Este diodo discreto tiene corriente de recuperación inversa cero y una pérdida de conmutación prácticamente nula, así como una mejor gestión térmica que reduce la necesidad de refrigeración. Gracias a esto, se pueden elaborar diseños altamente eficientes y de alto rendimiento que minimizan la disipación de calor del sistema, lo que permite el uso de disipadores de calor más pequeños para ahorrar espacio y costos. El módulo GP3D050B170B también admite configuraciones paralelas sencillas para mayor flexibilidad y escalabilidad en aplicaciones de potencia. El diodo Schottky SiC de 1700 V QSiC GP3D050B170B de SemiQ admite una conmutación rápida en un rango de temperatura en funcionamiento de unión de -55°C a 175°C.

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