IRL Power MOSFETs

Vishay IRL Power MOSFETs offer an optimal balance of fast switching, rugged design, low on-resistance, and cost efficiency. The Vishay IRL MOSFETs are available in SOT-223 and DPAK packages. These MOSFETs support surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The SOT-223 package features an enlarged tab for improved thermal performance, enabling power dissipation exceeding 1.25W, while the DPAK package allows for power dissipation up to 1.5W in typical applications. The IRLU and SiHLU series also provide a straight-lead option for through-hole mounting.

Resultados: 23
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A
Hoja de datos
6.890En existencias
$3.247
$1.686
$1.458
$1.162
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
4.459En existencias
4.000Se espera el 20-11-2026
Cinta cortada
$2.085
$1.093
$869
$663
Envase tipo carrete
$513
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors IRLR110TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5.521En existencias
$2.484
$1.196
$1.071
$851
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
2.753En existencias
$5.195
$3.406
$2.541
$2.130
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 30 Amp
Hoja de datos
4.769En existencias
$4.774
$2.860
$2.256
$1.868
$1.800
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
14.530En existencias
$2.313
$1.042
$856
$744
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
Hoja de datos
5.831En existencias
3.000Se espera el 17-12-2026
$2.244
$1.109
$859
$785
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors IRLU110PBF
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
Hoja de datos
4.113En existencias
$2.484
$1.120
$1.007
$846
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
Hoja de datos
456En existencias
5.000Se espera el 20-11-2026
Cinta cortada
$1.595
$745
$662
$515
Envase tipo carrete
$415
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
1.249En existencias
16.000En pedido
Cinta cortada
$1.834
$1.130
$745
$679
Envase tipo carrete
$679
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 60V 2.7A
Hoja de datos
67.490En pedido
Cinta cortada
$1.709
$1.219
$800
$635
Envase tipo carrete
$633
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
58.283En pedido
Cinta cortada
$1.606
$1.005
$727
$554
$507
Envase tipo carrete
$426
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 1.5 Amp
Hoja de datos
60.169En pedido
Cinta cortada
$1.424
$661
$587
$455
Envase tipo carrete
$366
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
9.000Se espera el 10-12-2026
$2.267
$1.120
$926
$786
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$742
$731
$697
Presupuesto
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.663
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.663
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.675
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.675
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.857
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Hoja de datos
No en existencias
Envase tipo carrete
$1.857
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
Hoja de datos
No en existencias
$2.153
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
Hoja de datos
No en existencias
$1.675
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube