SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes feature low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage. The SICW20C120 diodes offer a <1.8V forward voltage and a 1200V repetitive peak reverse voltage. The device is ideally suited for high voltage/high-frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Configuración If - Corriente directa Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión directa Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Diotec Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A 450En existencias
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SICW Tube
Diotec Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A 437En existencias
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.8 V 80 A - 50 C + 175 C SICW Tube