TGF2954

Qorvo
772-TGF2954
TGF2954

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Hoja de datos:
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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 50   Múltiples: 50
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$77.537 $3.876.850

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
Restricciones de envío:
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RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
32 V
1.7 A
- 65 C
+ 150 C
34.5 W
Marca: Qorvo
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 19.6 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 15 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Potencia de salida: 27 W
Empaquetado: Gel Pack
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: TGF2954
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN-on-SiC
Tipo de transistor: GaN HEMT
Alias de las piezas n.º: 1112246
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5-0810-13

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
3A001.b.3.b.2

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (PSAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.

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