Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
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18.327En existencias
33.000Se espera el 11-05-2026
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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573En existencias
2.000Se espera el 10-04-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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2.565En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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2.000Se espera el 02-03-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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Plazo de entrega 21 Semanas
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
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Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
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