MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

Resultados: 109
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
5.829En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Hoja de datos
1.728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
1.006En existencias
8.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
4.601En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1.545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
3.572En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
Hoja de datos
1.742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1.743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
1.035En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
6.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
2.009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
1.201En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
2.377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
Hoja de datos
2.943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6.575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
2.686En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
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193En existencias
20.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2.283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
3.824En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
8.490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
1.108En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel