600V Super Junction (SJ) MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V Super Junction (SJ) MOSFETs are designed to meet the increasing demand for smaller, more efficient power supplies across a wide range of applications. These SJ MOSFETs are designed for the R60xxXNx series and PrestoMOS™ R60xxWNx series as new 600V SJ MOSFETs. The 600V SJ MOSFETs are compact, low-profile package options that provide excellent heat dissipation. This makes the devices suitable for applications that require space savings and higher power density, including power supplies for AI servers and industrial equipment.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 154m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 127m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 95m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 5 V 46 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 80m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 68m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms 30 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 57m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 69 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement Reel