MOSFETs de SiC – Mouser Chile

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL060N065SC1
onsemi
1: $10.573
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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569En existencias

$10.573

$7.168

$6.373

$6.362

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG015N065SC1
onsemi
1: $26.846
3.923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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3.923En existencias

Cinta cortada

$26.846

$23.464

$23.106

$19.690

Envase tipo carrete

$19.510

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

NTBG060N090SC1
onsemi
1: $11.771
1.276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

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Hoja de datos

1.276En existencias

Cinta cortada

$11.771

$9.744

$8.949

$7.907

Envase tipo carrete

$7.907

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

44 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG060N065SC1
onsemi
1: $12.846
334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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334En existencias

Cinta cortada

$12.846

$8.915

$7.549

$7.056

Envase tipo carrete

$7.056

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

NTH4L070N120M3S
onsemi
1: $10.382
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

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Hoja de datos

Plazo de entrega 18 Semanas

$10.382

$6.597

$4.670

$4.659

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

91 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

252 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

NTHL070N120M3S
onsemi
1: $7.851
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

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Hoja de datos

590En existencias

$7.851

$4.738

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

91 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

252 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL075N065SC1
onsemi
1: $10.248
677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL075N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL075N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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Hoja de datos

677En existencias

$10.248

$5.936

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

85 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

NVH4L070N120M3S
onsemi
1: $16.274
217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

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Hoja de datos

217En existencias

$16.274

$11.267

$11.256

$11.122

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

64.8 mOhms

- 8 V, + 22 V

3.37 V

47.9 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V

NTBL045N065SC1
onsemi
1: $13.910
1.374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V

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Hoja de datos

1.374En existencias

Cinta cortada

$13.910

$8.826

$8.635

$8.064

Envase tipo carrete

$6.944

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

73 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L015N065SC1
onsemi
1: $30.139
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

212En existencias

$30.139

$22.310

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

142 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

EliteSiC

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