Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N100P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA42N25P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA4N80P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA50N20P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA62N15P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA75N10P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 150V 0.024 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 133 Amps 100V 0.008 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET IXTT140N10P TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 400

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-268-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)