F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Plazo de entrega 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 18
Mult.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 18
Mult.: 18

Tray