IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistors
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: GaN Power Transistor
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Indonesia
País de origen del ensamblaje:
Indonesia
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

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Existencias:
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Precio ext.:
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