IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs HV GAN DISCRETES

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 623

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.536 $7.536
$4.867 $48.670
$3.701 $370.100
$2.975 $1.487.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$2.873 $2.298.400

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: ID
País de difusión: AT
País de origen: ID
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistors
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: GaN Power Transistor
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99